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产品信息
Cypress Semiconductor串行F-RAM(铁氧体RAM)存储器集ROM的非易失性数据存储能力与RAM的快速性于一体。串行F-RAM有多种接口与密度选项,包括SPI和I2C接口、行业标准封装以及4KB至4MB的存储密度。
Cypress F-RAM支持100万亿次读写操作,远高于EEPROM的100万次,因此在其整个寿命周期内都无需考虑损耗均衡。
该产品采用铁氧体材料制成,具有很强的抗辐射或磁场能力,进一步降低了软误差率,成为了MRAM的替代方案。
这些F-RAM产品通常用于任务关键型应用,包括智能电表、汽车电子、工业控制和自动化设备、多功能打印机以及便携式医疗器械。